Résumé:
During the few past decades, we have seen an accelerated evolution of the semiconductor
industry. Without doubt, the MOSFET structure constitutes the workhorse of
the prevailing technological era. Despite the many advantages gained by the continuous
scaling of MOSFETs, it has lead to the amplification of parasitic phenomena. Our
objective in this dissertation is to propose efficient modeling/design approaches for the
nanoscale double gate MOSFET structure with the consideration of the short channel,
quantum confinement and hot carrier effects. The appropriateness of introduced designs
with respect to some application fields has been investigated. We hope that the findings
of this dissertation will contribute to further developments. Au cours des dernières décennies, nous avons assisté à une évolution accélérée de
l’industrie des semi-conducteurs. Sans aucun doute, la structure MOSFET constitue
le fil conducteur de l’ère technologique dominante. Malgré les nombreux avantages
obtenus par la miniaturisation continue des MOSFETs, cela a conduit à l’amplification
des phénomènes parasites. Notre objectif dans cette thèse est de proposer des approches
efficaces de modélisation/conception pour la structure nanométriqueMOSFET à double
grille en tenant compte des effets canal court, confinement quantique et porteurs chauds.
La pertinence des conceptions introduites relativement à certains champs d’application
a été étudiée. Nous espérons que les résultats de cette thèse contribueront à des futurs
développements. لقد شهدنا خلال العقود القليلة الماضية تطورا متسارعا لصناعة اشباه الموصلات. بدون ريب ان البنية MOSFET تشكل العمود الفقري للعصر التكنولوجي السائد. بالرغم من المزايا العديدة المكتسبة من التصغير المستمر للبنيات MOSFETs، فقد ادى ذلك بالمقابل الى تضخيم الظواهر الطفيلية. هدفنا في هذه الاطروحة هو اقتراح طرق نمذجة/تصميم فعالة للبنية النانومترية MOSFET ثنائية البوابات مع الاخذ بعين الاعتبار لتاثيرات القناة القصيرة، التقييد الكمي و الشحنات الساخنة. و تم التحقق من مدى ملاءمة التصاميم المقدمة فيما يتعلق ببعض مجالات التطبيق. نامل ان تسهم نتائج هذه الاطروحة في التطورات المستقبلية.
