Afficher la notice abrégée
dc.contributor.author |
Benaziez, Nadjdia |
|
dc.date.accessioned |
2021-02-10T10:26:05Z |
|
dc.date.available |
2021-02-10T10:26:05Z |
|
dc.date.issued |
2017-04-25 |
|
dc.identifier.uri |
http://dspace.univ-batna.dz/xmlui/handle/123456789/676 |
|
dc.description.abstract |
Les recherches effectuées dans cette thèse portent sur l'étude du comportement des contactes métal-semiconducteur sous obscurité et sous lumière en concentrant sur les contacts dite Schottky.
Dans la partie des contacts sous obscurité, et à partir des logiciels TCAD-SILVACO nous avons modélisé les propriétés de conduction de ces structures. Ensuite, nous avons montré comment la protection périphérique peut augmenter significativement la tension de claquage.
Dans le domaine photovoltaïque, nous avons analysé les propriétés photovoltaïques des contacts Schottky et présenté une technique prometteuse permettant d'améliorer ces propriétés en s'appuyant sur le champ de plasmonique. The research works of my thesis are related to the study of the metal-semiconductor contact behavior in the presence and absence of light with concentrating on the contacts known Schottky.
In the part of contacts under darkness, and by using TCAD-SILVACO software we modelled the conduction properties of these structures. Then, we showed how termination technique can increase significantly the breakdown tension.
In the photovoltaic domain, we analyzed the photovoltaic properties of Schottky contacts and presented a promising technique allowing the improvement of these properties basing on the field of plasmonic to trap the light and increase the absorption in the cells. البحث المنجز في هذه الأطروحة يتعلق بدراسة سلوك المتلامسات معدن/ نصف ناقل بدون
الضوء وبوجود الضوء مع التركيز على ما يسمى بالاتصال شوتكي. في الجزء المتعلق بدراسة هذا النوع من الاتصال بدون الضوء، وباستعمال البرنامج TCAD-SILVACO
قمنا بنمذجة خصائص التوصيل لهذه المركّبات. ثم أظهرنا كيف يمكن لتقنيات الحماية
المحيطية أن ترفع بشكل كبير من قيمة الجهد المؤدّي للانهيار.
في مجال الطاقة الشمسية، قمنا بتحليل الخصائص الضوئية للاتصال شوتكي وحاولنا تحسين
هذه الخصائص باستعمال تقنية واعدة تعتمد على مجال البلازمونات. |
fr_FR |
dc.publisher |
UB1 |
fr_FR |
dc.subject |
Contact métal-semiconducteur |
fr_FR |
dc.subject |
Diode Schottky |
fr_FR |
dc.subject |
Protection périphérique |
fr_FR |
dc.subject |
Cellules solaire plasmoniques |
fr_FR |
dc.subject |
Théorie de milieu effective |
fr_FR |
dc.subject |
Metal-semiconductor contact |
fr_FR |
dc.subject |
Schottky diode |
fr_FR |
dc.subject |
Peripheral protection |
fr_FR |
dc.subject |
Plasmonic solar cells |
fr_FR |
dc.subject |
Effective medium theory |
fr_FR |
dc.subject |
التلامسات معدن/ نصف ناقل |
fr_FR |
dc.subject |
الصمام شوتكي |
fr_FR |
dc.subject |
تقنيات الحماية المحيطية |
fr_FR |
dc.subject |
الخلايا الشمسية البلازمونية |
fr_FR |
dc.subject |
نظرية الوسط الفعال |
fr_FR |
dc.title |
Etude des propriétés électrique et photovoltaïques des Contacts métal/semi-conducteur |
fr_FR |
dc.type |
Thesis |
fr_FR |
Fichier(s) constituant ce document
Ce document figure dans la(les) collection(s) suivante(s)
Afficher la notice abrégée